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低壓無(wú)功補(bǔ)償系統(tǒng)發(fā)展至今常見(jiàn)的形式分為2種：

1、以電容器、電抗器、投切開(kāi)關(guān)、功率因數(shù)控制器及補(bǔ)償系統(tǒng)配套的其他保護(hù)元件組成的傳統(tǒng)類(lèi)型的補(bǔ)償系統(tǒng)，補(bǔ)償后功率因數(shù)可達(dá)0.96以上
2、以IGBT為核心元件通過(guò)對(duì)線路進(jìn)行實(shí)時(shí)分析，可發(fā)出無(wú)功對(duì)線路進(jìn)行雙向補(bǔ)償，補(bǔ)償后功率因數(shù)接近于1。
第一種形式的補(bǔ)償系統(tǒng)——組成：電容、電抗、投切開(kāi)關(guān)、功率因數(shù)控制器及配套保護(hù)裝置。

第二種形式：常見(jiàn)類(lèi)型為模塊化靜止無(wú)共發(fā)生器SVG/ASVG.

二、低壓無(wú)功補(bǔ)償系統(tǒng)——產(chǎn)品組成
組件+投切開(kāi)關(guān)+功率因數(shù)控制器
組件：

電容器：干式自愈式低壓電容器（帶電抗類(lèi)型）常規(guī)類(lèi)型5Kvar、10Kvar、15Kvar、20Kvar、25Kvar、30Kvar。一般組件規(guī)格40Kvar電容器組為2只20Kvar電容器配置，50Kvar電容器組為2只25Kvar配置，以此類(lèi)推；
電抗器：與電容器配套使用，減少3/5/7/11次諧波對(duì)電容器影響，可與5Kvar-80Kvar電容器/電容器組匹配。

電容器投切分為動(dòng)態(tài)投切和靜態(tài)投切，國(guó)標(biāo)規(guī)定響應(yīng)時(shí)間1秒以?xún)?nèi)為動(dòng)態(tài)投切；超過(guò)3秒為靜態(tài)投切，投切開(kāi)關(guān)按動(dòng)態(tài)投切使用：晶閘管開(kāi)關(guān)（可控硅開(kāi)關(guān)）；又稱(chēng)無(wú)觸點(diǎn)投切，過(guò)零投切，無(wú)涌流，通過(guò)控制器控制輸出12V直流電壓來(lái)控制開(kāi)關(guān)的通斷。
靜態(tài)投切使用：電容投切專(zhuān)用接觸器，此種接觸器采用延時(shí)投切技術(shù)控制電容器投切時(shí)涌流的出現(xiàn)。控制器通過(guò)無(wú)源觸點(diǎn)控制接觸器。
不同的投切開(kāi)關(guān)控制方式不同，因此對(duì)應(yīng)控制器也是不同的。即控制器型號(hào)是由投切開(kāi)關(guān)（投切方式）決定的。

希拓電氣晶閘管投切模塊(單相)技術(shù)源自德國(guó)，我司在充分消化吸收德國(guó)技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎(chǔ)上，研制出了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護(hù)電路，智能型散熱片組成。自主專(zhuān)利技術(shù)保證電壓過(guò)零觸發(fā)，電流過(guò)零斷開(kāi)，真正實(shí)現(xiàn)投切無(wú)涌流，跟隨速度快，有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷，平均響應(yīng)時(shí)間小于18ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。